E’ stato realizzato un nuovo materiale 2D, è sottile come un atomo e può aprire le porte ad una nuova generazione di transistor. Il nuovo materiale messo a punto da un gruppo di ricerca internazionale guidato da Jeehwan Kim dell’Istituto di Tecnologia del Massachusetts (Mit), e descritto su Nature, potrebbe innovare profondamente la produzione dei chip e far superare gli attuali limiti fisici della miniaturizzazione dell’elettronica.
Da decenni il miglioramento dell’elettronica è legata alla capacità dell’industria nel miniaturizzare i transistor – perché meno spazio occupano maggiore è il numero di transistor che è possibile installare in un singolo chip e, quindi, avere dispositivi più potenti. Ma da qualche anno le dimensioni dei transistor hanno raggiunto dimensioni tali che una ulteriore riduzione diventa via via più difficile e dispendiosa e si è ormai vicinissimi a raggiungere degli insuperabili limiti fisici.
Una soluzione per aprire nuove possibilità di miniaturizzazione potrebbe arrivare dai materiali 2D, ossia materiali ultrasottili (spessi appena un atomo) come ad esempio il grafene, ma finora il loro utilizzo a livello industriale è stato limitato dalla difficoltà di poterne scalare la produzione in modo economico. Problemi che potrebbero ora essere stati superati dai ricercatori del Mit. Il nuovo materiale 2D, spiegano gli ideatori, può essere fatto ‘crescere’ direttamente sui wafer di silicio o di zaffiro (le ‘tortiere’ usate normalmente per creare i chip) adagiando prima un sottilissimo velo di biossido di silicio, che ha la funzione di creare una sorta di griglia di coltura. E successivamente vaporizzando degli atomi che andranno a disporsi autonomamente a formare un materiale 2D detto Tmd (Dicalcogenuri di Metalli di Transizione). Una innovazione che apre la possibilità di innovare profondamente la produzione dei transistor e spingere, quindi, molto più avanti i limiti della miniaturizzazione.
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