COMUNICATO STAMPA - Responsabilità editoriale di Business Wire

Kioxia sviluppa la nuova struttura semicircolare 3D per celle di memoria flash “Twin BiCS FLASH”

– Ottimizza la densità dei bit con l'innovativa tecnologia split-gate –

Business Wire

Kioxia Corporation ha annunciato oggi lo sviluppo della prima [1]struttura semicircolare tridimensionale (3D) split-gate al mondo per celle di memoria flash “Twin BiCS FLASH” impiegante celle a gate flottante (floating gate, FG) semicircolari appositamente progettate. La struttura Twin BiCS FLASH raggiunge un livello di programmazione superiore e una finestra di programmazione/cancellazione più ampia con celle di dimensioni nettamente inferiori rispetto alle convenzionali celle a intrappolamento di carica (charge trap, CT). Queste caratteristiche fanno del nuovo design di celle un candidato promettente per il superamento del livello dei quattro bit per cella (quad level cell, QLC) per una densità di memoria considerevolmente più elevata e stack con meno strati.

questo comunicato stampa include contenuti multimediali. Visualizzare l’intero comunicato qui: https://www.businesswire.com/news/home/20191212005523/it/

Fabricated semicircular FG cells (a) Cross-sectional view (b) Plane view (Graphic: Business Wire)

Fabricated semicircular FG cells (a) Cross-sectional view (b) Plane view (Graphic: Business Wire)

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Kioxia Holdings Corporation
Kota Yamaji
Relazioni pubbliche
Telefono: +81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

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