E' stato costruito il primo transistor basato sul grafene che oscilla velocemente fra due stati, come in un'altalena, emettendo onde elettromagnetiche ad alta frequenza. Descritto sulla rivista su Nature Communications dai ricercatori dell'università britannica di Manchester, il dispositivo potrà avere importanti applicazioni nei sistemi per la sicurezza e nella diagnostica per immagini.

Il segreto del transistor è la sua 'bistabilita'', cioè la possibilità di sussitere in due stati distinti ed equivalenti tra i quali il sistema può oscillare come se andasse su un'altalena grazie a una piccola 'spinta'.
Il dispositivo è costituito da uno strato isolante di nitruro di boro chiuso 'a sandwich' tra due strati di grafene, il materiale più forte, sottile e conduttivo al mondo, destinato a rivoluzionare l'elettronica del futuro.

Applicando un piccolo voltaggio, la nuvola elettronica di ciascuno strato di grafene si 'sintonizza', e gli elettroni iniziano a muoversi spontaneamente ad alta velocità, attraversando la barriera isolante grazie al cosiddetto 'effetto tunnel quantistico', un vero e proprio 'salto' che non segue le regole della fisica classica.
Questo processo induce un rapido movimento di carica elettrica che può portare all'emissione di onde elettromagnetiche ad alta frequenza (comprese tra le onde radio e gli infrarossi). Una volta perfezionato, il transistor potrà essere impiegato sia nei sistemi di sicurezza che nei dispositivi per la diagnostica per immagini.